BJR1M-DDT-C-P-F, Датчик: оптоэлектронный, Дальность: 1м, PNP, DARK-ON, LIGHT-ON
![Фото 1/2 BJR1M-DDT-C-P-F, Датчик: оптоэлектронный, Дальность: 1м, PNP, DARK-ON, LIGHT-ON](https://static.chipdip.ru/lib/881/DOC004881144.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/211/DOC038211679.jpg)
2 шт., срок 8 недель
92 700 ֏
1 шт.
на сумму 92 700 ֏
Описание
Фотоэлектрические датчики \ BJR-F СЕРИЯ
Описание Датчик: оптоэлектронный, Дальность: 1м, PNP, DARK-ON, LIGHT-ON Характеристики Категория | Датчик оптический |
Дальность макс., мм | 1000 |
Напряжение питания DC, В | 10...30 |
Рабочий ток макс., мА | 20 |
Режимы работы | DARK-ON |
Конфигурация выхода | PNP |
Кол-во выводов | 4 |
Подключение | коннектор M8 |
Класс защиты | IP67 |
Особенности | маслостойкость |
Технические параметры
Время срабатывания | Макс.1мс |
Гистерезис | Макс.20%от номинального расстояния срабатывания |
Источник света | Красный LED(660нм) |
Масса | Прибл.60г(Прибл.6 г) |
Напряжение питания | 10-35V DC±10%(пульсации P-P:макс.10%) |
Объект обнаружения | Непрозрачный, полупрозрачный |
Особенности корпуса | Маслостойкий |
Потребляемый ток | Макс.30мА |
Принцип работы | Диффузный |
Расстояние срабатывания | 1м |
Регулировка чувствительности | Регулятор чувствительности |
Сертификаты | @(CE) |
Способ подключения | Разъём М8 |
Степень защиты | IP67(стандарт МЭК), IP67F(стандарт JEM) |
Температура окружающей среды | -25…+60℃, при хранении:-40…+70℃ |
Управляющий выход | PNP с открытым коллектором |
Вес, г | 37.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 4418 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг