IXYA20N65C3D1, Транзистор: IGBT, GenX3™, 650В, 20А, 200Вт, TO263
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 850 ֏
от 3 шт. —
4 270 ֏
от 10 шт. —
3 320 ֏
от 50 шт. —
2 710 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 850 ֏
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT SMD
Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 650В, 20А, 200Вт, TO263 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| California Prop 65 | Warning Information |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 105A |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Charge | 30nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Power - Max | 200W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Reverse Recovery Time (trr) | 34ns |
| Series | XPTв„ў, GenX3в„ў -> |
| Supplier Device Package | TO-263AA |
| Switching Energy | 430ВµJ (on), 650ВµJ (off) |
| Td (on/off) @ 25В°C | 19ns/80ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 20Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Вес, г | 1.5 |
Техническая документация
Datasheet IXYA20N65C3D1
pdf, 249 КБ
