IXFH10N80P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 10А, 300Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 900 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 900 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 10А, 300Вт, TO247-3 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 1.1Ом |
| Power Dissipation | 300Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | Polar HiPerFET |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Непрерывный Ток Стока | 10А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 300Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.1Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 348 КБ
