IXFB62N80Q3, Транзистор: N-MOSFET, Q3-Class, полевой, 800В, 62А, 1560Вт, 300нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
51 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 51 400 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, Q3-Class, полевой, 800В, 62А, 1560Вт, 300нс Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 62 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.56 kW |
| Qg - заряд затвора | 270 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 140 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 300 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | HyperFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 25 |
| Серия | IXFB62N80 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | PLUS-264-3 |
| Вес, г | 10.24 |
Техническая документация
Datasheet IXFB62N80Q3
pdf, 142 КБ
