IRFP9240PBF, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -200В, -7,5А, 150Вт, TO247AC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 050 ֏
от 5 шт. —
1 740 ֏
от 25 шт. —
1 360 ֏
от 100 шт. —
1 110 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 050 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -200В, -7,5А, 150Вт, TO247AC Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 12A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 7.2A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 500 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247AC |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Width | 5.31mm |
| Вес, г | 4.85 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1803 КБ
IRFP9240 datasheet
pdf, 166 КБ
Документация
pdf, 1814 КБ
Datasheet IRFP9240, SiHFP9240
pdf, 1829 КБ
