IXFK78N50P3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 78А, 1130Вт, TO264

Фото 1/4 IXFK78N50P3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 78А, 1130Вт, TO264
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
27 500 ֏
от 3 шт.22 300 ֏
от 10 шт.19 300 ֏
от 25 шт.17 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 27 500 ֏
Номенклатурный номер: 8002675279
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 78А, 1130Вт, TO264 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 78 A
Maximum Drain Source Resistance 68 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 500 V
Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage 5V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 1.13 kW
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-264
Pin Count 3
Series HiperFET, Polar3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 147 nC @ 10 V
Width 5.13mm
Вес, г 9.83

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXFX78N50P3
pdf, 126 КБ