IXFK78N50P3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 78А, 1130Вт, TO264
![Фото 1/4 IXFK78N50P3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 78А, 1130Вт, TO264](https://static.chipdip.ru/lib/880/DOC043880064.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/861/DOC004861322.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/452/DOC023452954.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/190/DOC026190323.jpg)
27 500 ֏
от 3 шт. —
22 300 ֏
от 10 шт. —
19 300 ֏
от 25 шт. —
17 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 27 500 ֏
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 78А, 1130Вт, TO264 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 78 A |
Maximum Drain Source Resistance | 68 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.13 kW |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-264 |
Pin Count | 3 |
Series | HiperFET, Polar3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 147 nC @ 10 V |
Width | 5.13mm |
Вес, г | 9.83 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXFX78N50P3
pdf, 126 КБ