IXFH20N50P3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 20А, 380Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 400 ֏
от 25 шт. —
4 940 ֏
от 30 шт. —
4 850 ֏
от 120 шт. —
4 040 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 400 ֏
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 20А, 380Вт, TO247-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
California Prop 65 | Warning Information |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 20A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-247-3 |
Power Dissipation (Max) | 380W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 10A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | HiPerFETв„ў, Polar3в„ў -> |
Supplier Device Package | TO-247AD (IXFH) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1.5mA |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet IXFH20N50P3
pdf, 355 КБ