IXFH20N50P3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 20А, 380Вт, TO247-3

Фото 1/2 IXFH20N50P3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 20А, 380Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7 400 ֏
от 25 шт.4 940 ֏
от 30 шт.4 850 ֏
от 120 шт.4 040 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 7 400 ֏
Номенклатурный номер: 8002676856
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 20А, 380Вт, TO247-3 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

California Prop 65 Warning Information
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power Dissipation (Max) 380W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 10A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series HiPerFETв„ў, Polar3в„ў ->
Supplier Device Package TO-247AD (IXFH)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1.5mA
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet IXFH20N50P3
pdf, 355 КБ