IXTK100N25P, Транзистор: N-MOSFET, PolarHT™, полевой, 250В, 100А, 600Вт, ТО264
![Фото 1/2 IXTK100N25P, Транзистор: N-MOSFET, PolarHT™, полевой, 250В, 100А, 600Вт, ТО264](https://static.chipdip.ru/lib/880/DOC043880152.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/861/DOC004861322.jpg)
16 600 ֏
от 3 шт. —
13 100 ֏
от 10 шт. —
10 600 ֏
от 25 шт. —
9 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 16 600 ֏
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор полевой IXTK100N25P от производителя IXYS - это высокопроизводительный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). С током стока в 100 А и напряжением сток-исток до 250 В, он гарантирует надежную работу в широком спектре применений. Мощность транзистора достигает 600 Вт, что позволяет использовать его в требовательных энергетических системах. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,027 Ом, обеспечивая высокую эффективность. Устройство заключено в прочный корпус TO264, что обеспечивает его долговечность и надежность в эксплуатации. Модель IXTK100N25P является оптимальным выбором для разработки силовой электроники. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 100 |
Напряжение сток-исток, В | 250 |
Мощность, Вт | 600 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.027 |
Корпус | TO264 |
Технические параметры
Вес, г | 9.75 |