IXTK100N25P, Транзистор: N-MOSFET, PolarHT™, полевой, 250В, 100А, 600Вт, ТО264

Фото 1/2 IXTK100N25P, Транзистор: N-MOSFET, PolarHT™, полевой, 250В, 100А, 600Вт, ТО264
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
16 600 ֏
от 3 шт.13 100 ֏
от 10 шт.10 600 ֏
от 25 шт.9 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 16 600 ֏
Номенклатурный номер: 8002677576
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор полевой IXTK100N25P от производителя IXYS - это высокопроизводительный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). С током стока в 100 А и напряжением сток-исток до 250 В, он гарантирует надежную работу в широком спектре применений. Мощность транзистора достигает 600 Вт, что позволяет использовать его в требовательных энергетических системах. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,027 Ом, обеспечивая высокую эффективность. Устройство заключено в прочный корпус TO264, что обеспечивает его долговечность и надежность в эксплуатации. Модель IXTK100N25P является оптимальным выбором для разработки силовой электроники. Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид N-MOSFET
Монтаж THT
Ток стока, А 100
Напряжение сток-исток, В 250
Мощность, Вт 600
Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.027
Корпус TO264

Технические параметры

Вес, г 9.75