IXFA18N60X, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 18А, 320Вт, TO263, 127нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 300 ֏
от 3 шт. —
6 600 ֏
от 10 шт. —
5 900 ֏
от 50 шт. —
5 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 300 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 18А, 320Вт, TO263, 127нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO263 |
| Drain current | 18A |
| Drain-source voltage | 600V |
| Features of semiconductor devices | ultra junction x-class |
| Gate charge | 35nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 0.23Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 320W |
| Reverse recovery time | 127ns |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 1.54 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 230 КБ
