IXFH74N20P, Транзистор N-MOSFET, PolarHT™, полевой, 200В, 74А, 480Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 300 ֏
от 3 шт. —
6 900 ֏
от 10 шт. —
5 800 ֏
от 30 шт. —
4 840 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 300 ֏
Описание
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYSundefined
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 74 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 34 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 480 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Series | HiperFET, Polar |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 107 nC @ 10 V |
| Width | 5.3mm |
| Вес, г | 6.21 |
