PD55008-E
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. с центрального склада, срок 2-3 недели
35 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 35 100 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 400 |
| Forward Transconductance - Min: | 1.6 S |
| Gain: | 17 dB |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Operating Frequency: | 1 GHz |
| Output Power: | 8 W |
| Package/Case: | PowerSO-10RF-Formed-4 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 52.8 W |
| Product Category: | RF MOSFET Transistors |
| Product Type: | RF MOSFET Transistors |
| Series: | PD55008-E |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | LDMOS FET |
| Type: | RF Power MOSFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 20 V |
| Вес, г | 9.495 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 472 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 22 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
