SI4401BDY-T1-E3, Транзистор P-МОП, полевой, 40В 10.5A 2.9Вт SO8
![SI4401BDY-T1-E3, Транзистор P-МОП, полевой, 40В 10.5A 2.9Вт SO8](https://static.chipdip.ru/lib/545/DOC034545340.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 000 ֏
от 5 шт. —
1 650 ֏
от 25 шт. —
1 270 ֏
от 100 шт. —
1 050 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 000 ֏
Посмотреть аналоги1
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\P channel transistors
Технические параметры
Case | SO8 |
Drain current | -8.3A |
Drain-source voltage | -40V |
Gate charge | 55nC |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | VISHAY |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 21mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 2.9W |
Type of transistor | P-MOSFET |
Вес, г | 0.16 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 180 КБ