IXFH14N80P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 14А, 400Вт, TO247-3

Фото 1/3 IXFH14N80P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 14А, 400Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8 900 ֏
от 3 шт.7 100 ֏
от 10 шт.6 000 ֏
от 30 шт.4 970 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 8 900 ֏
Номенклатурный номер: 8002727697
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 14А, 400Вт, TO247-3 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 14 A
Pd - рассеивание мощности 400 W
Qg - заряд затвора 61 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 720 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 800 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 5.5 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 29 ns
Время спада 27 ns
Высота 21.46 mm
Длина 16.26 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение PolarHV, HiPerFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 8 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 30
Серия IXFH14N80
Технология Si
Тип PolarHV HiPerFET Power MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 62 ns
Типичное время задержки при включении 26 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Ширина 5.3 mm
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet IXFH14N80P
pdf, 225 КБ