IXFL82N60P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 55А, 625Вт, ISOPLUS264™
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
37 700 ֏
от 3 шт. —
29 900 ֏
от 10 шт. —
26 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 37 700 ֏
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 55А, 625Вт, ISOPLUS264™ Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 82 A |
| Pd - рассеивание мощности | 625 W |
| Qg - заряд затвора | 240 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 78 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 23 ns |
| Время спада | 24 ns |
| Высота | 26.42 mm |
| Длина | 20.29 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 50 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 25 |
| Серия | IXFL82N60 |
| Технология | Si |
| Тип | PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS264 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 79 ns |
| Типичное время задержки при включении | 28 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-264-3 |
| Ширина | 5.21 mm |
| Вес, г | 7.38 |
Техническая документация
Datasheet IXFL82N60P
pdf, 165 КБ
