IXTP08N100P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 0,8А, 42Вт, TO220-3, 750нс

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 800 ֏

от 3 шт. — 2 360 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 800 ֏

Номенклатурный номер: 8002728160

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 0,8А, 42Вт, TO220-3, 750нс Характеристики

Id - непрерывный ток утечки	800 mA
Pd - рассеивание мощности	42 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	20 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	1 kV
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	37 ns
Время спада	34 ns
Высота	9.15 mm
Длина	10.66 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	IXTP08N100
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	35 ns
Типичное время задержки при включении	19 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.83 mm
Вес, г	2.06