IXFP60N25X3M, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 60А, 36Вт, TO220FP, 95нс
![Фото 1/3 IXFP60N25X3M, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 60А, 36Вт, TO220FP, 95нс](https://static.chipdip.ru/lib/786/DOC043786643.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/847/DOC004847768.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514979.jpg)
8 400 ֏
от 3 шт. —
6 500 ֏
от 10 шт. —
5 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 400 ֏
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 60А, 36Вт, TO220FP, 95нс Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
Pd - рассеивание мощности | 320 W |
Qg - заряд затвора | 50 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 19 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 10 ns |
Время спада | 7 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 30 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 62 ns |
Типичное время задержки при включении | 18 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220AB-3 |
Вес, г | 2.18 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 197 КБ