IXFH100N25P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 100А, 600Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 15 700 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 100А, 600Вт, TO247-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Drain current | 100A |
Drain-source voltage | 250V |
Gate charge | 185nC |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
On-state resistance | 27mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 600W |
Technology | HiPerFET™, Polar™ |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 136 КБ