IXFH100N25P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 100А, 600Вт, TO247-3

Фото 1/2 IXFH100N25P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 100А, 600Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
15 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 15 700 ֏
Номенклатурный номер: 8002766906
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 100А, 600Вт, TO247-3 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Case TO247-3
Drain current 100A
Drain-source voltage 250V
Gate charge 185nC
Kind of channel enhanced
Kind of package tube
Manufacturer IXYS
Mounting THT
On-state resistance 27mΩ
Polarisation unipolar
Power dissipation 600W
Technology HiPerFET™, Polar™
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet
pdf, 136 КБ