BPW85A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
850 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
630 ֏
от 10 шт. —
520 ֏
от 23 шт. —
455 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 700 ֏
Описание
Электроэлемент
PHOTOTRANSISTOR, NPN, T-1; Wavelength Typ:850nm; Viewing Angle:25В°; Power Consumption:100mW; No. of Pins:2Pins; Transistor Case Style:T-1 (3mm); Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019); Angle of Half Sensitivity В±:25В°; Current Ic Typ:50mA; Operating Temperature Max:100В°C; Operating Temperature Min:-40В°C; Operating Temperature Range:-40В°C to +100В°C; Peak Spectral Response Wavelength:850nm; Rise Time:2Вµs; Transistor Polarity:NPN; Transistor Type:Photo
Технические параметры
| Wavelength Typ | 850nm; Viewing Angle |
| Angle of Half Sensitivity | 50 ° |
| Collector Current | 50mA |
| Maximum Dark Current | 200nA |
| Maximum Wavelength Detected | 1080nm |
| Minimum Wavelength Detected | 450nm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Channels | 1 |
| Number of Pins | 2 |
| Package Type | 3mm(T-1) |
| Polarity | NPN |
| Spectral Range of Sensitivity | 450 → 1080 nm |
| Spectrums Detected | Infrared, Visible Light |
| Typical Fall Time | 2.3µs |
| Typical Rise Time | 2µs |
| Width | 3.4mm |
| Вес, г | 0.145 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 89 КБ
Документация
pdf, 98 КБ
