SKIIP 12NAB12T4V1, Модуль: IGBT, диод/транзистор, boost chopper, Urmax: 1,6кВ, Ic: 15А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
92 шт., срок 7 недель
50 800 ֏
от 3 шт. —
40 200 ֏
от 10 шт. —
35 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 50 800 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\IGBT modules\Semiconductors
Описание Модуль: IGBT, диод/транзистор, boost chopper, Urmax: 1,6кВ, Ic: 15А Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Application | frequency changer, Inverter |
| Case | MiniSKiiP® 1 |
| Collector current | 15A |
| Electrical mounting | Press-Fit |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Manufacturer | SEMIKRON DANFOSS |
| Max. off-state voltage | 1.6kV |
| Mechanical mounting | screw |
| Power | 5.5kW |
| Pulsed collector current | 45A |
| Semiconductor structure | diode/transistor |
| Topology | boost chopper, IGBT three-phase bridge, NTC thermistor, three-phase diode bridge |
| Type of module | IGBT |
| Вес, г | 65 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 275 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 21 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 25 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
