IXFH120N25T, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 120А, 890Вт, TO247-3, 108нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 700 ֏
от 3 шт. —
11 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 14 700 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 120А, 890Вт, TO247-3, 108нс Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Drain current | 120A |
Drain-source voltage | 250V |
Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
Gate charge | 180nC |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
On-state resistance | 23mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 890W |
Reverse recovery time | 108ns |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 6.25 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 183 КБ