MMIX1F40N110P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 1,1кВ, 24А, Idm: 100А, 500Вт
![Фото 1/2 MMIX1F40N110P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 1,1кВ, 24А, Idm: 100А, 500Вт](https://static.chipdip.ru/lib/537/DOC044537820.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/862/DOC037862128.jpg)
70 600 ֏
от 3 шт. —
62 200 ֏
от 10 шт. —
55 200 ֏
от 20 шт. —
48 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 70 600 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 1,1кВ, 24А, Idm: 100А, 500Вт Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | SMPD |
Drain current | 24A |
Drain-source voltage | 1.1kV |
Gate charge | 310nC |
Gate-source voltage | ±30V |
Kind of channel | enhanced |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 0.29Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 500W |
Pulsed drain current | 100A |
Reverse recovery time | 300ns |
Technology | HiPerFET™, Polar™ |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 8.21 |