MMIX1F160N30T, Транзистор: N-MOSFET, GigaMOS™, полевой, 300В, 102А, Idm: 440А, SMPD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
54 200 ֏
от 3 шт. —
46 000 ֏
от 10 шт. —
40 800 ֏
от 20 шт. —
36 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 54 200 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, GigaMOS™, полевой, 300В, 102А, Idm: 440А, SMPD Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | SMPD |
| Drain current | 102A |
| Drain-source voltage | 300V |
| Gate charge | 367nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 20mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 570W |
| Pulsed drain current | 440A |
| Reverse recovery time | 200ns |
| Technology | GigaMOS™, HiPerFET™, Trench™ |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 8.16 |
