TK32E12N1.S1X(S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
35 шт. с центрального склада, срок 3 недели
2 340 ֏
1 шт.
на сумму 2 340 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
N-Channel MOSFET, 60 A, 120 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK32E12N1,S1X(S
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 32(A) |
| Drain-Source On-Volt | 120(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | TO-220 |
| Packaging | Magazine |
| Pin Count | 3+Tab |
| Polarity | N |
| Power Dissipation | 98(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.011Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 120В |
| Непрерывный Ток Стока | 60А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Вес, г | 2.76 |
Техническая документация
Datasheet TK32E12N1,S1X
pdf, 252 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
