IXFY30N25X3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 30А, 170Вт, TO252, 82нс
![Фото 1/2 IXFY30N25X3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 30А, 170Вт, TO252, 82нс](https://static.chipdip.ru/lib/605/DOC035605789.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735669.jpg)
6 700 ֏
от 5 шт. —
5 200 ֏
от 25 шт. —
4 230 ֏
от 70 шт. —
3 850 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 700 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 30А, 170Вт, TO252, 82нс Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | TO252 |
Drain current | 30A |
Drain-source voltage | 250V |
Features of semiconductor devices | ultra junction x-class |
Gate charge | 21nC |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 60mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 170W |
Reverse recovery time | 82ns |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 0.32 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 294 КБ