IXFY4N85X, Транзистор: N-MOSFET, X-Class, полевой, 850В, 3,5А, Idm: 10А, 150Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 600 ֏
от 5 шт. —
3 120 ֏
от 25 шт. —
2 390 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 600 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, X-Class, полевой, 850В, 3,5А, Idm: 10А, 150Вт Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO252 |
| Drain current | 3.5A |
| Drain-source voltage | 850V |
| Features of semiconductor devices | ultra junction x-class |
| Gate charge | 7nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 2.5Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 150W |
| Pulsed drain current | 10A |
| Reverse recovery time | 170ns |
| Technology | HiPerFET™, X-Class |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 0.32 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 320 КБ
