IXA30PG1200DHGLB, Модуль: IGBT, диод/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 1,2кВ, Ic: 30А
![Фото 1/2 IXA30PG1200DHGLB, Модуль: IGBT, диод/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 1,2кВ, Ic: 30А](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758153.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/886/DOC037886682.jpg)
19 200 ֏
от 3 шт. —
15 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 19 200 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\IGBT modules\Semiconductors
Описание Модуль: IGBT, диод/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 1,2кВ, Ic: 30А Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Case | SMPD-B |
Collector current | 30A |
Electrical mounting | SMT |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Manufacturer | IXYS |
Max. off-state voltage | 1.2kV |
Power dissipation | 150W |
Pulsed collector current | 75A |
Semiconductor structure | diode/transistor |
Technology | ISOPLUS™, Sonic FRD™ |
Topology | IGBT half-bridge |
Type of module | IGBT |
Вес, г | 8 |