IXTA08N100D2, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 0,8А, 60Вт, TO263
![IXTA08N100D2, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 0,8А, 60Вт, TO263](https://static.chipdip.ru/lib/177/DOC036177249.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 580 ֏
от 3 шт. —
2 180 ֏
от 10 шт. —
1 880 ֏
от 50 шт. —
1 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 580 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
Case | TO263 |
Drain current | 0.8A |
Drain-source voltage | 1kV |
Gate charge | 325nC |
Kind of channel | depleted |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 21Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 60W |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 1.49 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 278 КБ