IXTA3N150HV, Транзистор N-MOSFET, 1,5кВ, 3А, 250Вт, TO263, 900нс
![Фото 1/2 IXTA3N150HV, Транзистор N-MOSFET, 1,5кВ, 3А, 250Вт, TO263, 900нс](https://static.chipdip.ru/lib/177/DOC036177249.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/975/DOC043975931.jpg)
14 000 ֏
от 3 шт. —
11 100 ֏
от 10 шт. —
9 000 ֏
от 50 шт. —
7 900 ֏
1 шт.
на сумму 14 000 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор N-MOSFET, 1,5кВ, 3А, 250Вт, TO263, 900нс Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | TO263 |
Drain current | 3A |
Drain-source voltage | 1.5kV |
Features of semiconductor devices | standard power mosfet |
Gate charge | 38.6nC |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | SMD |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 250W |
Reverse recovery time | 900ns |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 1.505 |
Техническая документация
Datasheet IXTA3N150HV
pdf, 157 КБ