IXBK55N300, Транзистор IGBT, BiMOSFET™, 3кВ, 55А, 625Вт, TO264
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 000 ֏
от 3 шт. —
107 000 ֏
от 10 шт. —
94 800 ֏
от 25 шт. —
89 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 000 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор IGBT, BiMOSFET™, 3кВ, 55А, 625Вт, TO264 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | TO264 |
| Collector current | 55A |
| Collector-emitter voltage | 3kV |
| Features of semiconductor devices | high voltage |
| Gate charge | 335nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 625W |
| Pulsed collector current | 600A |
| Technology | BiMOSFET™ |
| Turn-off time | 475ns |
| Turn-on time | 637ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 9.87 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 216 КБ
