IPB020N04NGATMA1
![IPB020N04NGATMA1](https://static.chipdip.ru/lib/056/DOC041056852.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 130 ֏
от 2 шт. —
2 640 ֏
от 5 шт. —
2 300 ֏
от 10 шт. —
2 140 ֏
1 шт.
на сумму 3 130 ֏
Описание
Электроэлемент
Транзистор МОП n-канальный, полевой, 40В, 140А, 167Вт, PG-TO263-7
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Continuous Drain Current | 140(A) |
Drain-Source On-Res | 0.002(ohm) |
Drain-Source On-Volt | 40(V) |
Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 175C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | D2PAK |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 6+Tab |
Polarity | N |
Power Dissipation | 167(W) |
Rad Hardened | No |
Type | Power MOSFET |
Вес, г | 2.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 523 КБ