SI4288DY-T1-GE3, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 40В, 7,4А, 3,1Вт, SO8

SI4288DY-T1-GE3, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 40В, 7,4А, 3,1Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 870 ֏
от 5 шт.1 430 ֏
от 25 шт.1 130 ֏
от 100 шт.940 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 870 ֏
Номенклатурный номер: 8002935609

Описание

Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Технические параметры

Количество Выводов 8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 40В
Непрерывный Ток Стока 9.2А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 2.5В
Рассеиваемая Мощность 3.1Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0165Ом
Стиль Корпуса Транзистора SOIC
Вес, г 0.16

Техническая документация

Datasheet SI4288DY-T1-GE3
pdf, 256 КБ