IPD60R280P7SAUMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 560 ֏
1 шт.
на сумму 2 560 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 600V, 12A, 53W, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.214ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 12A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 761pF @ 400V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 53W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Series | CoolMOSв(ў P7 |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 190ВµA |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Pd - рассеивание мощности | 53 W |
| Qg - заряд затвора | 18 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 214 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 9 ns |
| Время спада | 9 ns |
| Другие названия товара № | IPD60R280P7S SP001658154 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | CoolMOS P7 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 60 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.214Ом |
| Power Dissipation | 53Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 12А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 53Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.214Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.28 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet IPD60R280P7SAUMA1
pdf, 911 КБ
Datasheet IPD60R280P7SAUMA1
pdf, 911 КБ
