CSD13381F4
![CSD13381F4](https://static.chipdip.ru/lib/610/DOC006610954.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 220 ֏
от 2 шт. —
2 730 ֏
от 5 шт. —
2 420 ֏
от 10 шт. —
2 260 ֏
1 шт.
на сумму 3 220 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CHANNEL, 12V, 2.1A, LGA-3; PolaritГ© transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.1A; Tension Vds max..:12V; RГ©sistanceВ Rds(on):0.14ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissanc
Технические параметры
Brand | Texas Instruments |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 250 |
Fall Time | 3.8 ns |
Forward Transconductance - Min | 3.2 S |
Height | 0.35 mm |
Id - Continuous Drain Current | 2.1 A |
Length | 1 mm |
Manufacturer | Texas Instruments |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | Picostar-3 |
Packaging | Cut Tape |
Pd - Power Dissipation | 500 mW(1/2 W) |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 1.06 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 180 mOhms |
Rise Time | 1.5 ns |
RoHS | Details |
Series | CSD13381F4 |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 11 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 3.7 ns |
Unit Weight | 0.000014 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 12 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 850 mV |
Width | 0.64 mm |
Id - непрерывный ток утечки | 2.1 A |
Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
Qg - заряд затвора | 1060 pC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 180 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 650 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 1.5 ns |
Время спада | 3.8 ns |
Высота | 0.35 mm |
Длина | 1 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | NexFET |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | CSD13381F4 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel FemtoFET MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 11 ns |
Типичное время задержки при включении | 3.7 ns |
Торговая марка | Texas Instruments |
Упаковка / блок | PICOSTAR-3 |
Ширина | 0.64 mm |
Вес, г | 0.0004 |
Техническая документация
Datasheet CSD13381F4
pdf, 1919 КБ
Документация
pdf, 595 КБ