CSD17382F4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 060 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
840 ֏
от 10 шт. —
710 ֏
от 100 шт. —
620 ֏
2 шт.
на сумму 2 120 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 67 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
Технические параметры
| Brand | Texas Instruments |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 270 ns |
| Forward Transconductance - Min | 5.9 S |
| Height | 0.35 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 2.3 A |
| Length | 1 mm |
| Manufacturer | Texas Instruments |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | Picostar-3 |
| Packaging | Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW(1/2 W) |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 2.1 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 67 mOhm |
| Rise Time | 111 ns |
| RoHS | Details |
| Series | CSD17382F4 |
| Technology | Si |
| Tradename | PicoStar |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 279 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 59 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 700 mV |
| Width | 0.64 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.3 A |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Qg - заряд затвора | 2.1 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 67 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 700 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 111 ns |
| Время спада | 270 ns |
| Высота | 0.35 mm |
| Длина | 1 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | PicoStar |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.9 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | CSD17382F4 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 279 ns |
| Типичное время задержки при включении | 59 ns |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | PICOSTAR-3 |
| Ширина | 0.64 mm |
| Base Product Number | CSD17382 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 347pF @ 15V |
| Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 500mA, 8V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 3-PICOSTAR |
| Vgs (Max) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250ВµA |
| Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 672 КБ
