CSD17308Q3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

620 ֏

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 352 ֏

от 10 шт. — 269 ֏

от 100 шт. — 187 ֏

2 шт. на сумму 1 240 ֏

Посмотреть аналоги4

Номенклатурный номер: 8002950639

Электроэлемент

Описание Транзистор: N-MOSFET

RoHS Compliant	Yes
Id - непрерывный ток утечки	50 A
Pd - рассеивание мощности	28 W
Qg - заряд затвора	3.9 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	10.3 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V, + 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	900 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	5.7 ns
Время спада	2.3 ns
Высота	1 mm
Длина	3.3 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	NexFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	CSD17308Q3
Средства разработки	BQ500211AEVM-210
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel Power MOSFET
Типичное время задержки выключения	9.9 ns
Типичное время задержки при включении	4.5 ns
Торговая марка	Texas Instruments
Упаковка / блок	VSON-CLIP-8
Ширина	3.3 mm
Вес, г	0.068