IXTY2N100P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 2А, 86Вт, TO252, 800нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 380 ֏
от 5 шт. —
2 980 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 380 ֏
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 2А, 86Вт, TO252, 800нс Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | IXYS |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 70 |
Fall Time: | 27 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
Manufacturer: | IXYS |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-252-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 86 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 24.3 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.5 Ohms |
Rise Time: | 29 ns |
Series: | IXTY2N100 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 80 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1 kV |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
Вес, г | 0.32 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 265 КБ