IXTP6N100D2, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 6А, 300Вт, TO220-3, 41нс
![IXTP6N100D2, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 6А, 300Вт, TO220-3, 41нс](https://static.chipdip.ru/lib/162/DOC037162225.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 800 ֏
от 3 шт. —
7 000 ֏
от 10 шт. —
5 900 ֏
от 50 шт. —
4 900 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 800 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
Case | TO220AB |
Drain current | 6A |
Drain-source voltage | 1kV |
Kind of channel | depleted |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
On-state resistance | 2.2Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 300W |
Reverse recovery time | 41ns |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 2.06 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 172 КБ