IXFQ94N30P3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 300В, 94А, 1040Вт, TO3P
![Фото 1/2 IXFQ94N30P3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 300В, 94А, 1040Вт, TO3P](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758086.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/885/DOC022885694.jpg)
14 500 ֏
от 3 шт. —
11 600 ֏
от 10 шт. —
9 300 ֏
от 30 шт. —
8 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 14 500 ֏
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 300В, 94А, 1040Вт, TO3P Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 94 A |
Maximum Drain Source Resistance | 36 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 300 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.04 kW |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-3PN |
Pin Count | 3 |
Series | HiperFET, Polar3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 102 nC @ 10 V |
Width | 4.9mm |
Вес, г | 5.28 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXFQ94N30P3
pdf, 141 КБ