IXFQ94N30P3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 300В, 94А, 1040Вт, TO3P

Фото 1/2 IXFQ94N30P3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 300В, 94А, 1040Вт, TO3P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
14 500 ֏
от 3 шт.11 600 ֏
от 10 шт.9 300 ֏
от 30 шт.8 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 14 500 ֏
Номенклатурный номер: 8002969000
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 300В, 94А, 1040Вт, TO3P Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 94 A
Maximum Drain Source Resistance 36 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 300 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 5V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 1.04 kW
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-3PN
Pin Count 3
Series HiperFET, Polar3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 102 nC @ 10 V
Width 4.9mm
Вес, г 5.28

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXFQ94N30P3
pdf, 141 КБ