MMIX1F210N30P3, Транзистор: N-MOSFET, Polar3™, полевой, 300В, 108А, Idm: 550А, 520Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
57 500 ֏
от 3 шт. —
48 800 ֏
от 10 шт. —
43 300 ֏
от 20 шт. —
38 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 57 500 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, Polar3™, полевой, 300В, 108А, Idm: 550А, 520Вт Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | SMPD |
| Drain current | 108A |
| Drain-source voltage | 300V |
| Gate charge | 268nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 16mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 520W |
| Pulsed drain current | 550A |
| Reverse recovery time | 250ns |
| Technology | HiPerFET™, Polar3™ |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 8.2 |
