MMIX1T600N04T2, Транзистор: N-MOSFET, GigaMOS™, полевой, 40В, 600А, Idm: 2кА, 830Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
43 300 ֏
от 3 шт. —
34 400 ֏
от 10 шт. —
30 500 ֏
от 20 шт. —
27 900 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 43 300 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, GigaMOS™, полевой, 40В, 600А, Idm: 2кА, 830Вт Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 600 A |
| Pd - рассеивание мощности | 830 W |
| Qg - заряд затвора | 590 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.3 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 20 |
| Серия | MMIX1T600N04 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SMPD-24 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 600 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.3 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 830 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SMPD |
| Pin Count | 24 |
| Series | GigaMOS, HiperFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 590 nC @ 10 V |
| Width | 23.25mm |
| Вес, г | 8.08 |
