MMIX1T550N055T2, Транзистор: N-MOSFET, GigaMOS™, полевой, 55В, 550А, Idm: 2кА, 830Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
56 100 ֏
от 3 шт. —
47 700 ֏
от 10 шт. —
42 300 ֏
от 20 шт. —
37 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 56 100 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, GigaMOS™, полевой, 55В, 550А, Idm: 2кА, 830Вт Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | SMPD |
| Drain current | 550A |
| Drain-source voltage | 55V |
| Gate charge | 595nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 1.3mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 830W |
| Pulsed drain current | 2kA |
| Reverse recovery time | 100ns |
| Technology | GigaMOS™, TrenchT2™ |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 8.04 |
