IXGH60N60C3D1

IXGH60N60C3D1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 шт. с центрального склада, срок 2-3 недели
18 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 18 200 ֏
Номенклатурный номер: 8002979007
Бренд: Littelfuse

Описание

Электроэлемент
Transistor, Igbt, 600V, 75A, To-247 Rohs Compliant: Yes |Ixys Semiconductor IXGH60N60C3D1

Технические параметры

Brand IXYS
Collector-Emitter Saturation Voltage 600 V
Continuous Collector Current at 25 C 75 A
Factory Pack Quantity 90
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Height 21.46 mm
Length 16.26 mm
Manufacturer IXYS
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20 V
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-247-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 380 W
Product IGBT Silicon Modules
Product Category IGBT Modules
RoHS Details
Series IXGH60N60
Tradename GenX3
Unit Weight 0.056438 oz
Width 5.3 mm
Brand: IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.2 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 75 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 30
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Manufacturer: IXYS
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-247AD-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 380 W
Product Category: IGBT Modules
Product Type: IGBT Modules
Product: IGBT Silicon Modules
Series: IXGH60N60
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Tradename: GenX3
Вес, г 6.51

Техническая документация

Datasheet
pdf, 236 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 18 июля1 бесплатно
HayPost 22 июля1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг