IXDN604SI
290 шт. с центрального склада, срок 3 недели
4 670 ֏
от 2 шт. —
4 090 ֏
от 5 шт. —
3 690 ֏
от 10 шт. —
3 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 670 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
4-Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver 8-Lead Thermally Enhanced SOIC
Технические параметры
| Channel Type | Independent |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 4A, 4A |
| Driven Configuration | Low-Side |
| Gate Type | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Input Type | Non-Inverting |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 0.8V, 3V |
| Manufacturer | IXYS Integrated Circuits Division |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Drivers | 2 |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width)Exposed Pad |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Rise / Fall Time (Typ) | 9ns, 8ns |
| Series | - |
| Supplier Device Package | 8-SOIC-EP |
| Voltage - Supply | 4.5V ~ 35V |
| Вес, г | 0.21 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 269 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 22 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 25 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
