FM18W08-SG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 400 ֏
от 2 шт. —
6 800 ֏
от 5 шт. —
6 400 ֏
от 10 шт. —
6 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 400 ֏
Описание
Электроэлемент
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces.
Технические параметры
| Automotive Standard | AEC-Q100 |
| Data Bus Width | 8bit |
| Interface Type | Parallel |
| Maximum Operating Supply Voltage | 5.5 V |
| Maximum Operating Temperature | +85 °C |
| Maximum Random Access Time | 70ns |
| Memory Size | 256kbit |
| Minimum Operating Supply Voltage | 2.7 V |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Bits per Word | 8bit |
| Number of Words | 32k |
| Organisation | 32K x 8 bit |
| Package Type | SOIC |
| Pin Count | 28 |
| Width | 7.62mm |
| Вес, г | 2.215 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 319 КБ
