IXXH50N60C3D1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 шт. с центрального склада, срок 3 недели
21 700 ֏
от 2 шт. —
20 800 ֏
от 5 шт. —
19 900 ֏
от 7 шт. —
19 000 ֏
1 шт.
на сумму 21 700 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, IGBT, 600V, 100A, TO-247AD; Continuous Collector Current:100A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.95V; Power Dissipation:600W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. of Pins:3Pins; Op 03AH1964
Технические параметры
| Brand | IXYS |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.3 V |
| Continuous Collector Current at 25 C | 100 A |
| Factory Pack Quantity | 30 |
| Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
| Manufacturer | IXYS |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247AD |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 600 W |
| Product Category | IGBT Transistors |
| RoHS | Details |
| Series | IXXH50N60 |
| Technology | Si |
| Tradename | XPT |
| Unit Weight | 0.229281 oz |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet IXXH50N60C3D1
pdf, 191 КБ
IXXH50N60C3D1
pdf, 183 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
