IPD042P03L3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 380 ֏
от 2 шт. —
1 940 ֏
от 3 шт. —
1 740 ֏
1 шт.
на сумму 2 380 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, P-CH, -30V, -70A, TO-252; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-70A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.0035ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.5
Технические параметры
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0035Ом |
| Power Dissipation | 150Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 70А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 150Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0035Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 70 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 6.8 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | OptiMOS P |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 131 nC @ 10 V |
| Width | 5.97mm |
| Вес, г | 0.426 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IPD042P03L3GATMA1
pdf, 662 КБ
