SI2305CDS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
489 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
249 ֏
от 10 шт. —
192 ֏
от 100 шт. —
147 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 978 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, P CHANNEL, -8V, -5.8A, SOT-23-3, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-5.8A, Drain Source Voltage Vds:-8V, On Resistance Rds(on):0.028ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V, Threshold Voltage Vgs:-1V, MSL:-, RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Case | SOT23 |
| Drain current | -3.5A |
| Drain-source voltage | -8V |
| Gate charge | 30nC |
| Gate-source voltage | ±8V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | VISHAY |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 65mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 1.1W |
| Pulsed drain current | -20A |
| Technology | TrenchFET® |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 223 КБ
Документация
pdf, 189 КБ
