TDTC114E, Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 320мВт, SOT23, R1: 10кОм

Фото 1/2 TDTC114E, Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 320мВт, SOT23, R1: 10кОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7210 шт., срок 8 недель
58 ֏
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 10 шт.
20 шт. на сумму 1 160 ֏
Номенклатурный номер: 8003075452
Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Transistors\Bipolar transistors\Single bipolar transistors
Описание Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 320мВт, SOT23, R1: 10кОм Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Base resistor 10kΩ
Base-emitter resistor 10kΩ
Case SOT23
Collector current 0.1A
Collector-emitter voltage 50V
Frequency 250MHz
Kind of package reel, tape
Kind of transistor BRT
Manufacturer TOSHIBA
Mounting SMD
Polarisation bipolar
Power dissipation 0.32W
Type of transistor NPN
Вес, г 0.02

Техническая документация

Datasheet
pdf, 213 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 11 сентября1 бесплатно
HayPost 15 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг