SQ4532AEY-T1_GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 600 ֏
от 2 шт. —
1 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 600 ֏
Описание
Электроэлемент
Mosfet, Complementary, 30V, 7.3A, 3.3W Rohs Compliant: Yes |Vishay SQ4532AEY-T1_GE3
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 7.3A(Tc), 5.3A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 535pF @ 15V, 528pF @ 15V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ® |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 19 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.3 A, 5.3 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Part # Aliases: | SQ4532AEY-T1_BE3 |
| Pd - Power Dissipation: | 3.3 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.9 nC, 7.9 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 21 mOhms, 56 mOhms |
| Rise Time: | 17 ns |
| Series: | SQ |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TrenchFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Channel Type | Complementary N and P Channel |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.021Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.021Ом |
| Power Dissipation N Channel | 3.3Вт |
| Power Dissipation P Channel | 3.3Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TrenchFET Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 7.3А |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 7.3А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 7.3А |
| Полярность Транзистора | Дополнительные каналы N и P |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 3.3Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.021Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Вес, г | 0.1 |
