BSZ0909NDXTMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 000 ֏
от 2 шт. —
1 560 ֏
от 5 шт. —
1 240 ֏
от 10 шт. —
1 130 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 000 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 20A, WISON-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0145ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V; Power Dissipation Pd:17W; Transistor Case Style:WISON; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 8.1 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 18@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 2 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 1900(Typ) |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Pin Count | 8 |
| Process Technology | OptiMOS |
| Supplier Package | WISON EP |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 3.7 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 3.7@10VI1.8@4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 270@15V |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.0145Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.0145Ом |
| Power Dissipation N Channel | 17Вт |
| Power Dissipation P Channel | 17Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 30В |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 20А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 20А |
| Стиль Корпуса Транзистора | WISON |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet BSZ0909NDXTMA1
pdf, 1556 КБ
